【招标公告】分谈分签+连云港杰瑞电子有限公司+202609-026-驱动芯片设计的询价书
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基本信息
| 地区 | 江苏 连云港市 | 采购单位 | 连云港杰瑞电子有限公司 |
| 招标代理机构 | 项目名称 | 分谈分签+连云港杰瑞电子有限公司+202609-026-驱动芯片设计的询价书物料信息 | |
| 采购联系人 | *** | 采购电话 | *** |
询价书名称：分谈分签+连云港杰瑞电子有限公司+202609-026-驱动芯片设计的询价书
物料信息
寻源要求
询价单位：连云港杰瑞电子有限公司
签约单位：连云港杰瑞电子有限公司
报价截止时间：2026-10-12 09:00
允许部分物料报价：否
附加费（附加费包括运费、包装费、服务费、其他费用）：包含在物料价格中
报价有效期：2027-01-12
是否指定报价币种：指定
报价币种：人民币
承运方式：卖方配送
结算方式：银行电汇、银行承兑、商业承兑
补充说明：
经办人信息
姓名：***
手机：
电话：***
邮箱：
附件
JR1003芯片设计需求.docx
JR1003芯片设计需求
一、芯片概述
JR1003是一款高度集成的三相智能栅极驱动器，专为三相无刷直流（BLDC）电机应用而设计，芯片内部具有三个半桥驱动通道，工作电源范围9V-75V,集成了自举电路、欠压保护电路、短路保护电路、过温保护等功能。芯片内置三个低侧电流检测放大器，通过内部的智能栅极驱动架构，大大减小了外围器件的数量，配置灵活，可有效替代传统电机驱动方案中栅极驱动、电流检测、电源管理等多个分立器件，显著简化PCB设计和系统复杂度，本项目需要完成该芯片的定制设计工作。
二、内部主要结构和设计要求
JR1003内部主要包含数字逻辑模块（SPI接口、PWM控制逻辑、状态机）和模拟/功率模块（栅极驱动器、电荷泵、电流检测放大器、LDO稳压器、保护电路），芯片的功能框图如下图所示：
VMVDRAIN
VM
VDRAIN
>10uF0.1uF
VCP
工
VCP
GHA
HS
1uFCPHVCP
SHA
Charge
VDRAINPumpVGLS
CPL
47nF
GLA
VGLSVGLSSPA
Linear
DigitalGLB
INHA
Core
SPB
INLA
SDI
VCCSPC
SPI
RPUGateDriver
SDOVCC
RPU
SCLK
FaultOutputnFAULT
nSCS
VCCSPC
VREF
AvSNC
0.1uFSNC
SOBOutput
1
AvSNB
OffsetRSENE
SOA
Bias
SPA
AGND
AvSNARSENA
图1芯片功能框图
2.1智能栅极驱动（SGD）架构
可调栅极驱动电流（IDRIVE）：通过SPI寄存器动态调整MOSFET开关速率，优化EMI性能；
VGS握手与最小死区时间插入：自动防止上下桥臂MOSFET直通（Shoot-through）；
强下拉电路：抑制dV/dt引起的寄生栅极导通；
TDRIVE状态机：自适应调整栅极驱动时序。
2.2集成栅极驱动电源
高侧采用倍增电荷泵实现100%PWM占空比，低侧采用线性稳压器，确保全占空比范围内栅极驱动电压稳定可靠。
2.3集成三个电流分流放大器
芯片集成三个电流分流放大器，内部支持可调增益（5、10、20、40V/V），检测模式支持双向或单向工作，可灵活适配不同电流检测需求。
2.4PWM控制模式
芯片支持6×、3×、1×和独立PWM四种控制模式，并支持120°无传感器运行。各工作模式说明如表1所示。
表1工作模式说明
2.5SPI接口控制
通过SPI接口实现参数配置和故障诊断功能，具体规格接口如下：
表2SPI接口配置
2.6保护功能
芯片须具备以下集成保护功能，且部分保护阈值可通过SPI寄存器进行配置。各保护功能详细说明如表3所示。
表3芯片保护功能及说明
三、主要技术指标和验收标准
3.1设计要求
1、芯片设计的电路单元所使用的基本元件库需使用甲方提供的库；
2、电路数据库中模拟和数字电路需分开建立库；
3、功能模块划分清晰，关键信号路径标注完整；
4、电路数据准确率≥99.97%，乙方承诺从甲方验收合格之日起两年内免费修改甲方发现的错误。
3.2主要参数要求
主要参数要求见下表说明：
表4芯片主要参数
物料信息
序号 | 物料编码 | 物料描述 | 计量单位 | 交货地点 | 交货日期 | 国产/进口 | 说明 | 附件 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 561214 | 科研外包 | 项 | 2026-10-22 | 不指定 |
寻源要求
询价单位：连云港杰瑞电子有限公司
签约单位：连云港杰瑞电子有限公司
报价截止时间：2026-10-12 09:00
允许部分物料报价：否
附加费（附加费包括运费、包装费、服务费、其他费用）：包含在物料价格中
报价有效期：2027-01-12
是否指定报价币种：指定
报价币种：人民币
承运方式：卖方配送
结算方式：银行电汇、银行承兑、商业承兑
补充说明：
经办人信息
姓名：***
手机：
电话：***
邮箱：
附件
JR1003芯片设计需求.docx
JR1003芯片设计需求
一、芯片概述
JR1003是一款高度集成的三相智能栅极驱动器，专为三相无刷直流（BLDC）电机应用而设计，芯片内部具有三个半桥驱动通道，工作电源范围9V-75V,集成了自举电路、欠压保护电路、短路保护电路、过温保护等功能。芯片内置三个低侧电流检测放大器，通过内部的智能栅极驱动架构，大大减小了外围器件的数量，配置灵活，可有效替代传统电机驱动方案中栅极驱动、电流检测、电源管理等多个分立器件，显著简化PCB设计和系统复杂度，本项目需要完成该芯片的定制设计工作。
二、内部主要结构和设计要求
JR1003内部主要包含数字逻辑模块（SPI接口、PWM控制逻辑、状态机）和模拟/功率模块（栅极驱动器、电荷泵、电流检测放大器、LDO稳压器、保护电路），芯片的功能框图如下图所示：
VMVDRAIN
VM
VDRAIN
>10uF0.1uF
VCP
工
VCP
GHA
HS
1uFCPHVCP
SHA
Charge
VDRAINPumpVGLS
CPL
47nF
GLA
VGLSVGLSSPA
Linear
| RegulatorGateDriver | ||||||||||||||||
| DVDD | GHB | VDRAIN | ||||||||||||||
| 1uF | GND | DVDDLinearRegulator | VCP | |||||||||||||
| PowerSupplies | H | |||||||||||||||
| ENABLE | VGLS | SHB000 | ||||||||||||||
DigitalGLB
INHA
Core
SPB
INLA
| INHBINLB | ControlInputs | GateDriverVDRAINSmartGateVCP | |||||
| INHCINLC | DriveProtection | HSGHCSHCVGLSGLC | |||||
SDI
VCCSPC
SPI
RPUGateDriver
SDOVCC
RPU
SCLK
FaultOutputnFAULT
nSCS
VCCSPC
VREF
AvSNC
0.1uFSNC
| RSENG.SPB |
SOBOutput
1
AvSNB
OffsetRSENE
SOA
Bias
SPA
AGND
AvSNARSENA
图1芯片功能框图
2.1智能栅极驱动（SGD）架构
可调栅极驱动电流（IDRIVE）：通过SPI寄存器动态调整MOSFET开关速率，优化EMI性能；
VGS握手与最小死区时间插入：自动防止上下桥臂MOSFET直通（Shoot-through）；
强下拉电路：抑制dV/dt引起的寄生栅极导通；
TDRIVE状态机：自适应调整栅极驱动时序。
2.2集成栅极驱动电源
高侧采用倍增电荷泵实现100%PWM占空比，低侧采用线性稳压器，确保全占空比范围内栅极驱动电压稳定可靠。
2.3集成三个电流分流放大器
芯片集成三个电流分流放大器，内部支持可调增益（5、10、20、40V/V），检测模式支持双向或单向工作，可灵活适配不同电流检测需求。
2.4PWM控制模式
芯片支持6×、3×、1×和独立PWM四种控制模式，并支持120°无传感器运行。各工作模式说明如表1所示。
表1工作模式说明
| 模式 | 输入信号 | 说明 |
| 6x PWM | INHA/INLA, INHB/INLB, INHC/INLC | 独立控制 6 个 MOSFET，适用于 FOC 等高级算法 |
| 3x PWM | INHA, INHB, INHC + ENABLE | 简化输入，通过内部逻辑组合控制高低侧 |
| 1x PWM | PWM + DIRECTION | 内置 6 步换相表，支持霍尔传感器直接输入的梯形控制 |
| 独立模式 | INHA/INLA 等独立控制 | 高低侧独立驱动，适用于非电机负载场景 |
2.5SPI接口控制
通过SPI接口实现参数配置和故障诊断功能，具体规格接口如下：
表2SPI接口配置
| 参数项 | 规格要求 |
| 数据帧格式 | 16bit，MSB 优先 |
| 时钟极性（CPOL） | Low（空闲时 SCLK = 0） |
| 时钟相位（CPHA） | 2 Edge（数据在第二个时钟沿采样） |
| 通信速率 | ≤ 10MHz |
| 片选方式 | nSCS 低电平有效 |
| 引脚定义 | SCLK（时钟输入）、SDI（数据输入）、SDO（数据输出，开漏需外部上拉）、nSCS（片选输入） |
2.6保护功能
芯片须具备以下集成保护功能，且部分保护阈值可通过SPI寄存器进行配置。各保护功能详细说明如表3所示。
表3芯片保护功能及说明
| 保护功能 | 说明 | 可配置性 |
| VM 欠压锁定（UVLO） | 电源电压低于阈值时自动关断输出 | 阈值固定 |
| 栅极驱动电源欠压（GDUV） | 检测电荷泵/线性稳压器供电异常 | 阈值固定 |
| MOSFET VDS 过流保护（OCP） | VDS 超过阈值触发保护 | 阈值可调 |
| MOSFET 击穿保护 | 防止上下桥臂直通 | 自动死区插入 |
| 栅极驱动器故障（GDF） | 检测栅极驱动异常（开路/短路） | — |
| 热警告（OTW） | 结温超过警告阈值时报警 | 阈值固定 |
| 热关断（OTSD） | 结温超过关断阈值时关断输出 | 阈值固定 |
| nFAULT 指示 | 开漏输出，低电平有效，指示故障状态 | — |
三、主要技术指标和验收标准
3.1设计要求
1、芯片设计的电路单元所使用的基本元件库需使用甲方提供的库；
2、电路数据库中模拟和数字电路需分开建立库；
3、功能模块划分清晰，关键信号路径标注完整；
4、电路数据准确率≥99.97%，乙方承诺从甲方验收合格之日起两年内免费修改甲方发现的错误。
3.2主要参数要求
主要参数要求见下表说明：
表4芯片主要参数
| 序号 | 参数项 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | 备注 |
| 1 | VM电压范围 | 9 | 48 | 75 | V | |
| 2 | VM工作电流 | — | 8.5 | 13 | mA | VM=VDRAIN=48V |
| 3 | DVDD工作电源 | 4.75 | 5 | 5.25 | V | |
| 4 | VCP电源电压 | 7.5 | 10 | 11.5 | V | VM=12V |
| 5 | VGLS电源电压 | 10 | 11.5 | 12.5 | V | VM=12V |
| 6 | 峰值拉电流（Source） | — | 1 | — | A | 50mA ~ 1A可编程 |
| 7 | 峰值灌电流（Sink） | — | 2 | — | A | 100mA ~ 2A可编程 |
| 8 | 逻辑输入高电平 | 1.5 | — | 5.5 | V | |
| 9 | 逻辑输入低电平 | 0 | — | 0.8 | V | |
| 10 | VM欠压保护阈值 | 8.2 | 8.5 | 9 | V | |
| 11 | Vdrain欠压保护阈值 | 6.3 | 6.6 | 7 | V |
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