【招标公告】南京南瑞半导体G23200_V1研发批流片及掩模版等采购

所属地区:江苏南京市 发布日期:2025-01-11

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基本信息

地区 江苏 南京市 采购单位 南京南瑞半导体有限公司
招标代理机构 项目名称 南京南瑞半导体G23200_V1研发批流片及掩模版等采购
采购联系人 *** 采购电话 ***
南京南瑞半导体G23200_V1 研发批流片及掩模版等采购 (招标编号:NARI-BDT-NV11-2025010901) 项目所在地区:江苏省,南京市 一、招标条件 本G23200_V1 研发批流片及掩模版等采购已由项目审批/核准/备案机关批准,项目资金来源 为其他资金***,招标人为南京南瑞半导体有限公司。本项目已具备招标条件, 现招标方式为公开招标。 二、项目概况和招标范围 规模:项目建设单位为南京南瑞半导体有限公司或其所属单位(以下简称 “项目单位”;),建设资金为企业自有资金,采购人为南京南瑞半导体有限 公司。项目已具备采购条件,现对该项目进行公开询价。 范围:本招标项目划分为1个标段,本次招标为其中的: (001)标一包一; 三、投标人资格要求 (001标一包一)的投标人资格能力要求:3.应答人资格要求 1.本次采购要求应答人须为中华人民共和国境内依法注册的法人或其他组织, 并在人员、设备、资金等方面具有承担采购项目的能力。 2.具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度; 3.法定代表人或单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位,不 得参加同一标包应答或者未划分标包的同一采购项目应答; 4.应答截止日前,与采购人不存在尚未了结的诉讼案件; 5.不接受联合体应答;; 本项目不允许联合体投标。 四、招标文件的获取 获取时间:从2025年01月09日 20时00分到2025年01月16日20时00分 获取方式:本项目在中国招标投标公告服务平台(http://www.cebpubserv ice.com)发布采购公告,采购文件(电子文件)见附件免费获取。 五、投标文件的递交 递交截止时间:2025年01月17日09时00分 递交方式:nari-bdt@sgepri.sgcc.com.cn电子上传文件递交 六、开标时间及地点 开标时间:2025年01月17日10时00分 开标地点:B8三楼 七、其他 2.1采购清单 序号采购内容数量单位技术要求备注 标1包1G23200_Vl_MASK 11张1块 详见技术规范书 标1包1 G23200_V1_流片 50 片 详见技术规范书 标1包1 G12300_V4_MASK版1块详见技术规范书 6.备注:本次采购公告发布后只有一家供应商有效应答仍可继续谈判,直接转 为单一来源方式继续完成采购。 八、监督部门 本招标项目的监督部门为综合办。 九、联系方式 招标人:南京南瑞半导体有限公司 地 址:南京市江宁区诚信大道19号 联系人:*** 电 话:*** 电子邮件:fandongxiao@sgepri.sgcc.com.cn 招标代理机构: 地 址: 联系人: 电 话: 电子邮件: 招标人或其招标代理机构主要负责人(项目负责人): 灬(签名) 招标人或其招标代理机构: 3 技术规范书 一、项目概述 需求范围一览表
序号需求内容工作量/数量单位备注
1G23200_V1_MASK 11张1
2流片 G23200_V1_泛50
3G12300_V4MASK版1
二、项目进度要求 90 日历天。 三、项目团队要求 供应商技术团队应当具备3人以上的专业工艺整合工程师,此外 每个关键加工工艺都应具备相应的工艺工程师进行技术支持。供应 商技术团队工程师应具备相应的工作经验和学历背景。 供应商制造部门需对流片相关操作人员进行完整的上岗培训。 供应商其他支撑部门应有相应的专业人士配套支持。 四、技术加工要求 供应商提供的加工过程、物资参数等应满足相关技术需求,具 体如下表。
序号项目技术需求
1制版1、膜图形中的各层掩膜图形能较好地套准。 2、掩膜应尽可能做到无针孔、小岛和划痕等缺陷。 3、构成图形阵列的每一个微小图形要有高的图像质 量,即图形尺寸要准确,尽可能接近设计尺寸的要求 ,且图形不发生畸变。 4、版面平整、光洁、结实耐用。版子要坚固耐磨、 不易变形。图形应不易损坏。 5、图形边缘清晰、锐利,无毛刺,过渡区要小,即
充分光密度区(黑区)应尽可能陡直地过渡到充分透明 区(白区)。 1、可以满足8英寸IGBT/FRD晶圆加工过程需求,包 括光刻、刻蚀、薄膜、扩散、离子注入、背面工艺等 芯片加工全过程。 2、光刻:CD最小尺寸≤1um; 光刻胶厚度可以满足5 um Al刻蚀以及>4um BPSG台阶厚度的覆盖性;终端钝化PI保护胶满足绝 缘耐压>5000V的绝缘需求;满足单芯片≤5 cm²大小的芯片加工需求。具备背面光刻机,对位精 度≤3um。 3、注入: B/P/As注入的剂量满足1E11 cm²~1E16 cm²,能量在30 KeV-2000 KeV; 具备背面注B/P能力。H注入的剂量满足1E10 2 晶圆加工 cm²~1E15cm²,能量在350 KeV 1500 KeV。注入旋转角(平边)0-45°。 4、扩散:满足温度≥1150℃的设备要求。 5、薄膜:金属层厚度≥4um;氧化厚度满足≥1.6 um; 氧化层厚度的片内和片间的均匀性控制在5 %以内。具备SRO,PESIN薄膜制程。 6、刻蚀:满足CT,METAL,PAD干法刻蚀要求;满 足硅≥0.45um,CD≤5um的刻蚀需求。 7、背面工艺:具备减薄划片、激光退火、背面金属 背面B/P/H注入等工艺设备。 8、晶圆片加工过程严格控制,确保不产生新的污染 及划伤等。 五、联络会及验收要求 依技术约定和设计要求生产产品的工作,包括从芯片正面背面工 艺加工,直至芯片电性参数测试完成的全过程。制造的芯片需要符合 所有相关的产品技术规范。 采购方提供或转移必要的参数,技术指标,工艺流程,质量与可 靠性的技术规范及其它与芯片有关的技术及生产要求。 验收IGBT芯片外观完整,性能符合CP规范。 六、项目交付物 G23200_V1 IGBT项目涉及的光刻版、流片,G12300_V4项目涉及的光刻版。 七、交货时间和地点 于产品下线后90天内安排备货、交付;具体交货地点按买方合同 指定地点。 八、质保、培训及售后服务 供应商根据采购方提出的技术要求,完成全部样品服务,且样品 必须通过采购方测试验收后方算合格。在质量体系方面,采用质量管 理体系ISO 9001:2015标准,对过程和结果进行管控。 九、知识产权及保密要求 1、本项目实施过程中,由采购方提供的设计、工艺流程和工艺条 件分片细节、光刻版数据的知识产权,归采购方所有。 2、本项目实施过程中,所产生的工艺数据和最终芯片的CP测试数 据的知识产权,归双方共有,且由实施所产生的数据保存有效时间应 不少于5年。 3、供应商及其项目参与人员对技术开发过程中所接触到的采购方 的技术信息、商业秘密等尚未公开的有关信息、资料及研究所涉成果 负有保密义务。未经采购方书面同意,供应商及其项目参与人员不得 将上述信息、资料及研究所涉成果披露给任何第三方或用于本项目以 外的其他目的。 4、未经一方书面同意,另一方及其项目参与人员不得将双方共有 的包括但不限于数据资料在内的保密信息披露给任何第三方或用于 本项目以外的其他目的。 5、本项目下的保密义务自相关资料或信息以及研究所涉成果正式 向社会公开之日或采购方书面解除供应商本项目下保密义务之日起 终止。 十、付款方式 根据双方协商结果。 十一、供应商资质要求 1、应具有独立订立合同和履行合同能力的中华人民共和国境内 注册的企业法人、事业法人或其他组织(提供法人营业执照、组织 机构代码证、税务登记证并加盖公章,原件备查); 2、应具有良好的商用信誉和健全的财务会计制度; 3、未处于被责令停业或者财产被接管、冻结和破产状态。未涉 及重大诉讼。未被认定有拖欠劳务工资行为、不正当竞争行为、欺 诈行为、商业贿赂等腐败行为并在处罚期内。 十二、标包划分及授标原则 一个标包 十三、评审办法 1. 评标方法 本次评标采用综合评估法。

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